东沃DOWO自主研发、生产、销售的高分子ESD二极管(也称聚合物静电抑制器)的核心优势,源于其聚合物材料特性,使其在高速信号保护、低功耗设计和长期可靠性方面表现突出。它与传统的硅基TVS二极管或压敏电阻形成了差异化定位。
对于高速数据线路,保护器件本身对信号质量的影响至关重要,高分子ESD二极管在这方面优势显著:
1)超低电容,保障信号完整性:其寄生电容极低,典型值可达0.05pF ~ 0.2pF,部分产品甚至更低。相比之下,传统ESD二极管的电容通常更高。在USB、HDMI、IEEE 1394等高速接口上,如此低的电容几乎不会引入信号衰减或失真,是实现高保真传输的关键。
2)极低的漏电流,助力低功耗设计:在待机或正常工作状态下,其漏电流极低,可低于1nA,部分产品手册标注为小于0.1μA。这有助于显著降低系统整体功耗,对电池供电的便携设备延长续航至关重要。
3)极快的响应速度:响应时间可快至1ns以内,部分资料提及0.5ns~1ns,能迅速响应并泄放ESD脉冲,保护后端敏感芯片。
| 型号 | 图片 | VDC(V) | VT(V) | IL(μA) | VC(V) | CP(pF) | VESD(kV Contact) | VESD(kV Air) | Package | 下载 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
5 |
450 |
0.01 |
40 |
0.05 |
±8 |
±15 |
0402 |
|