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USB Type-C端口需兼顾充电与数据传输，且频繁插拔及人体触摸易引入浪涌和人体静电ESD。若端口未做有效防护，瞬态高压尖峰可能损伤内部电路，甚至导致系统死机。电源线束因充电电流较大，插拔时易产生较大浪涌，东沃推荐SOD-323封装ESD保护二极管DW05D-B-S：截止电压5 V，功率可达450W，满足IEC 61000-4-2接触放电±30kV、空气放电±30kV要求。
从IEEE1394接口静电浪涌防护方案图中可以看出，电路保护器件选用了东沃研发、生产、销售的ESD保护二极管DW05-4RVLC（SOT-23-6L封装），静电符合IEC61000-4-2 等级4，接触放电8KV，空气放电15KV。针对IEEE1394接口静电浪涌防护，有很多设计保护方案。具体选用哪种，客户可以根据自己的需求自由选择！
从RS232/RS485接口静电浪涌防护方案图中可以看出，电路保护器件选用了东沃研发、生产、销售的TVS二极管阵列DW05M2T-B（SOT-23封装）、DW15M2T-B（SOT-23封装），静电符合IEC61000-4-2 4级，接触放电8KV，空气放电15KV。针对RS232/RS485接口静电浪涌防护，有很多设计保护方案。具体选用哪种，客户可以根据自己的需求自由选择！
从千兆以太网静电浪涌防护方案图中可以看出，保护器件选用了东沃电子自主研发、生产、销售的低电容TVS二极管阵列DW3.3-8R2P（DFN3.8*1.0-9L封装），浪涌能力：DM 2KV CM 6KV Per ITU K.21 10/700μs 40Ω。针对千兆以太网静电浪涌防护，有很多设计保护方案。具体选用哪种，还需要结合电路的保护需求来决定。
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